Ecopia HMS-7000光霍爾效應測試儀

霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體材料電學特性*的工具。

光學模塊

 
HMS-7000光霍爾效應測試儀軟件界面

 通過HMS-7000主機及霍爾效應測試儀軟件控制光源及馬達自動完成測試，并繪制出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數隨光源強度變化的曲線如下：

 
HMS-5000變溫霍爾效應測量儀軟件主界面
 
不同溫度I-V/I-R曲線      載流子濃度隨溫度變化曲線
 
遷移率隨溫度變化曲線     電阻率隨溫度變化曲線
 
霍爾系數隨溫度變化曲線      電導率隨溫度變化曲線

產品規格：
1、 主要實驗參數
輸入電流：1nA ~ 20mA；
電阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；
載流子濃度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；
遷移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；
磁場強度：0.51T；
樣品測量板：彈簧樣品板；
樣品尺寸：5mmX5mm  ~ 20mmX20mm；
高溫腔溫度：常溫~573K (773K)；
低溫腔溫度：80K-350K(選配)；
磁體包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；
2、 軟件操作環境 
XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10環境下
3、 實驗結果
       - 體載流子濃度、表面載流子濃度；
       - 遷移率；
       - 霍爾系數；
       - 電阻率、方塊電阻；
       - 磁致電阻；
       - 電阻的縱橫比率；
4、 儀器尺寸和重量
主機尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；
5、 測量材料
Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半導體薄膜(P型和N型)；